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DR Series DR6300 - 用户手册

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一般内存模块安装原则

一般内存模块安装原则

NOTE: 不遵循这些原则的内存配置可能会导致系统无法引导、在内存配置过程中停止响应或操作内存减少。

系统支持 Flexible Memory Configuration（灵活内存配置），因此系统能够在任何有效的芯片组结构配置中配置和运行。建议的内存模块安装原则如下：

•
基于 x4 和 x8 DRAM 的内存模块可以混用。有关更多信息，请参阅“模式特定原则”部分。
•
每个通道最多可填充三个双列或单列 RDIMM。
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如果安装不同速度的内存模块，它们将以最低或较低安装内存模块速度运行（具体取决于系统 DIMM 配置）。
•
仅在安装处理器时填充内存模块插槽。对于单处理器系统，插槽 A1 至 A12 可用。对于双处理器系统，插槽 A1 至 A12 和插槽 B1 至 B12 可用。
•
首先填充所有带白色释放卡舌的插槽，然后填充带黑色释放卡舌的插槽，最后填充带绿色释放卡舌的插槽。
•
当混合使用具有不同容量的内存模块时，先用具有最高容量的内存模块填充插槽。例如，如果要混用 4 GB 和 8 GB 的内存模块，则将 8 GB 内存模块填充在具有白色释放卡舌的插槽中，将 4 GB 内存模块填充在具有黑色释放卡舌的插槽中。
•
在双处理器配置中，每个处理器的内存配置应该相同。例如，如果填充处理器 1 的插槽 A1，则填充处理器 2 的插槽 B1，以此类推。
•
如果遵循其他内存填充规则，则不同容量的内存模块可以混用（例如，4 GB 和 8 GB 内存模块可以混用）。
•
不支持在同一个系统中混合使用两个以上的内存模块容量。
•
每个处理器一次填充四个内存模块（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。
父主题 

模式特定原则

模式特定原则

内存优化（独立通道）模式
内存备用
内存镜像

系统为每个处理器分配四个内存通道。所容许的配置取决于选取的内存模式。

 
 
父主题 

高级纠错代码 (lockstep)

高级纠错代码 (lockstep)

高级纠错代码 (ECC) 模式将 SDDC 从基于 x4 DRAM 的 DIMM 扩展到 x4 和 x8 DRAM。这样可防止正常操作期间单个 DRAM 芯片出现故障。

内存模块的安装原则如下：

所有内存模块在大小、速度和技术上必须相同。
•
安装在带有白色释放杆的内存插槽中的 DIMM 必须相同，并且相同的规则适用于带黑色和绿色释放卡舌的插槽。这可确保相同 DIMM 成对匹配安装 — 例如，A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6 等等。
父主题 

内存优化（独立通道）模式

内存优化（独立通道）模式

此模式仅针对使用 x4 设备宽度的内存模块支持单设备数据纠正 (SDDC)，不会产生任何特定插槽填充要求。

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